IRFH8334TR2

Версия для печати

Технические характеристики IRFH8334TR2

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 mOhm @ 20A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1180pF @ 10V
Power - Max	3.2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-PowerTDFN
Корпус	PQFN (5x6)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
LM5007MM		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5007MM		NSC
LM5007MM				347.08
LM5007MM		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5007MM		TEXAS INSTRUMENTS
LM5007MM		TEXAS
LM5007MM		TEXAS INSTRUMENTS	26
LM5007MM		4-7 НЕДЕЛЬ	345
LM5022MM		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5022MM			1	435.96
LM5022MM		NSC
LM5022MM		TEXAS INSTRUMENTS
LM5022MM		4-7 НЕДЕЛЬ	585
LMH6639MF		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMH6639MF				275.00
LMH6639MF		NSC
LMH6639MF		TEXAS INSTRUMENTS
LMH6639MF		4-7 НЕДЕЛЬ	714
SDR0604-101KL	Индуктивность 100мкГн SMD 5,8x4,8mm	BOURNS	12	17.56
SDR0604-101KL	Индуктивность 100мкГн SMD 5,8x4,8mm			60.00
SDR0604-101KL	Индуктивность 100мкГн SMD 5,8x4,8mm	ВОURNS
SK100M0220B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 100 В	YAGEO
SK100M0220B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
SK100M0220B5S-1325	Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 100 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)