IRF7329
Hexfet power mosfets dual p-channel
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3450pF @ 10V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7329 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Dual P-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3314G 20K |
|
|
||||||
 |
BC849C |
|
Транзистор S-N 30В 0.1A SMD | 76 | 10.08 | |||
|
|
BC849C |
|
Транзистор S-N 30В 0.1A SMD | NXP |
|
|
||
|
|
BC849C |
|
Транзистор S-N 30В 0.1A SMD | DIOTEC |
|
|
||
|
|
BC849C |
|
Транзистор S-N 30В 0.1A SMD | NXP | 152 |
|
||
|
|
BC849C |
|
Транзистор S-N 30В 0.1A SMD | YJ | 3 804 |
1.74 >100 шт. 0.87 |
||
| MCP6V02-E/SN | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| MCP6V02-E/SN | Microchip Technology |
|
|
|||||
| MCP6V02-E/SN | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| MCP6V02-E/SN |
|
|
||||||
| MCP6V02-E/SN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 672 |
|
|||||
| SIM900D [B06] | SIMCOM |
|
|
