BC849C


Транзистор S-N 30В 0.1A SMD

Купить BC849C по цене 10.08 руб.  (без НДС 20%)
BC849C
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BC849C 76 10.08 
BC849C (NXP.) 152 3-4 недели
Цена по запросу
BC849C (YJ) 17 931 1.74
>100 шт.   0.87

Версия для печати

Технические характеристики BC849C

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Power - Max250mW
Frequency - Transition100MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусTO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC846AW

NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

Также в этом файле: BC849CW

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BC849C datasheet
275.51Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    859 ОДНА БАТАРЕЯ CR2032       Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   DIOTEC 323 244 1.27 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   DC COMPONENTS 77 100 1.29 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   GALAXY Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)     53 031 1.36 
>100 шт.   0.68 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   FAIRCHILD 325 цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   LI-SION TECHNOLOGY INC. Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   KEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NXP 4 345 цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   DIOTEC SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   PANJIT 27 200 цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   FAIRCHILD 3 467 1.70 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   INFINEON 800 5.47 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   HOTTECH 282 996 1.29 
>500 шт.   0.43 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   ARK Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   KLS 514 1.54 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NEXPERIA 278 013 1.16 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   DIODES Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   PANJIT Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   SEMTECH 220 1.33 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   PJ 6 378 1.19 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   YANGJIE 1 929 294 1.02 
>100 шт.   0.51 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   YJ 1 065 004 1.04 
>100 шт.   0.52 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   JSCJ 188 673 1.58 
>100 шт.   0.79 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   NXP/NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   TRR 96 000 1.03 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   SUNTAN 556 1.17 
>500 шт.   0.39 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   JINGDAO 15 584 1.12 
>100 шт.   0.56 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   TRR ELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   HOTTECCN 1 710 1.70 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   CJ 8 000 4.46 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   YANGZHOU YANGJIE Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   KEEN SIDE 206 564 1.35 
>500 шт.   0.45 
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   2138 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   4334 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAV99 2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)   ASEMI 584 496 1.29 
>500 шт.   0.43 
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   FAI/QTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   OTHER Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BF245A Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA     Заказ радиодеталей 15.04 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А     40 600 3.20 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HOTTECH 85 978 1.91 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   HUASHUO 17 885 4.32 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   YOUTAI 13 452 2.00 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   UMW 8 000 3.10 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   SUNTAN 25 929 5.04 
IRLML6401 Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А   KEEN SIDE 24 300 2.23 
  LMC6482AIN     NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LMC6482AIN     NSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LMC6482AIN       Заказ радиодеталей 171.36 
  LMC6482AIN     ТАИЛАНД Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LMC6482AIN     TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  LMC6482AIN     4-7 НЕДЕЛЬ 244 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход