| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
M24C02-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
ST MICROELECTRONICS
|
7
|
14.46
|
|
|
|
|
M24C02-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
|
438
|
24.05
|
|
|
|
|
M24C02-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2 545
|
|
|
|
|
|
M24C02-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M24C02-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
M24C02-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
M24C02-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
M24C02-WMN6P |
|
ИМС EEPROM I2C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
796
|
|
|
 |
 |
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 БЕЛ. 0.5М |
|
|
|
3
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 БЕЛ. 0.5М |
|
|
|
3
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 БЕЛ. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 БЕЛ. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЖЕЛТ. 0.5М |
|
|
|
|
33.84
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М |
|
|
|
|
33.84
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЗЕЛ. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
Версия для печати
