Версия для печати
Технические характеристики M24C02-WMN6P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Тип памяти	EEPROM
Объем памяти	2K (256 x 8)
Скорость	400kHz
Интерфейс подключения	I²C, 2-Wire Serial
Напряжение питания	2.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WINBOND	392	340.96
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	WIN
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	Winbond Electronics
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	NO NAME
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс			141.80
		W27C512-45Z		Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс	4-7 НЕДЕЛЬ	1 257
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ФИОЛ. 0.5М					57.60
		ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ЧЕРН. 0.5М					44.60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"