|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 48-TQFP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип осцилятора | Internal |
| Преобразователи данных | A/D 9x10b |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.62 V ~ 3.6 V |
| Размер памяти | 16K x 8 |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер программируемой памяти | 64KB (64K x 8) |
| Число вводов/выводов | 36 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, DMA, PWM, WDT |
| Подключения | I²C, SPI, UART/USART |
| Скорость | 50MHz |
| Размер ядра | 32-Bit |
| Процессор | AVR |
| Серия | AVR®32 UC3 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
3314G-1-202E |
|
Подстроечный резистор 2 кОм | BOURNS | 287 | 37.20 | ||
|
|
3314G-1-202E |
|
Подстроечный резистор 2 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-202E |
|
Подстроечный резистор 2 кОм |
|
|
|||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | BOURNS | 54 | 33.66 | ||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм |
|
168.00 | |||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | 120 |
|
|
||
|
|
3314G-1-502E |
|
Подстроечный резистор 5 кОм | 68 |
|
|
||
|
|
CM453232-471KL |
|
ЧИП-индуктивность 470мкГн 1812 | BOURNS | 390 | 20.58 | ||
|
|
CM453232-471KL |
|
ЧИП-индуктивность 470мкГн 1812 |
|
40.00 | |||
|
|
|
SDR0604-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 5,8x4,8mm | BOURNS | 336 | 29.96 | |
|
|
|
SDR0604-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 5,8x4,8mm |
|
112.00 | ||
|
|
|
SDR0604-100ML |
|
Индуктивность 10мкГн SMD 5,8x4,8mm | ВОURNS |
|
|
|
| SH400M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH400M0100B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 400 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|