IRFL110TRPBF
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS16XV2T1G | ON SEMICONDUCTOR | 384 | 8.01 | |||||
| BAS16XV2T1G | ON SEMICONDUCTOR | 540 |
|
|||||
| BAS16XV2T1G | ONS |
|
|
|||||
| BAS16XV2T1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAS16XV2T1G |
|
|
||||||
| BAS21HT1G | ONS |
|
|
|||||
| BAS21HT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BAS21HT1G | ON SEMICONDUCTOR | 17 284 |
|
|||||
| BAS21HT1G |
|
|
||||||
| BAS21HT1G | LRC |
|
|
|||||
| BAS21HT1G | FUXIN | 2 728 |
1.64 >100 шт. 0.82 |
|||||
| PBD-32 | 113 | 86.95 | ||||||
| PBD-32 | NXU |
|
|
|||||
| PBD-32 | KLS | 1 192 | 20.66 | |||||
| PBD-32 | BM |
|
|
|||||
| PLLD1.27-10A | KLS |
|
|
|||||
| PLLD1.27-10A |
|
|
||||||
 |
T491X107K025AT |
|
Kemet |
|
|
|||
|
|
T491X107K025AT |
|
|
|
||||
|
|
T491X107K025AT |
|
KEM |
|
|
|||
|
|
T491X107K025AT |
|
KEMET |
|
|
|||
|
|
T491X107K025AT |
|
KEMET/YAGEO |
|
|
