CDRH5D28NP-330NC
Индуктивность чип 33мкФ, 750мА, 189мОм
|
SMD индуктивность экранированнная |
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
Индуктивность чип 33мкФ, 750мА, 189мОм
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856BWSOT323 | NXP |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | NEXPERIA |
|
|
|||||
| BC856BWSOT323 | 0.00 |
|
|
|||||
 |
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONS |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 132 |
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G |
|
|
|||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
 |
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 |
|
72.00 | |||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | BOURNS | 18 | 18.32 | ||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | ВОURNS |
|
|
||
 |
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | 4 560 | 5.78 | ||
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FAIRCHILD | 1 568 |
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | FSC |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | ONS |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | ONS-FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | UMW-YOUTAI |
|
|
|
|
|
|
FDN5630 |
|
60v n-channel powertrench mosfet | YOUTAI | 9 696 | 4.05 | |
 |
|
SN74ALS1035DG4 |
|
Texas Instruments |
|
|
