BF960

Версия для печати

Технические характеристики BF960

Структура	2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.03
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.225
Корпус	TO50

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
74AC74D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер D-типа х 6	FAIR
74AC74D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер D-типа х 6		9	24.00
74AC74D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер D-типа х 6	TEXAS
74AC74D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер D-типа х 6	МАЛАЙЗИЯ
74AC74D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер D-типа х 6	МЕКСИКА
74AC74D	Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Триггер D-типа х 6	4-7 НЕДЕЛЬ	468
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAI/QTC
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIR
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	ON SEMICONDUCTOR
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	PHILIPS
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FSC
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIRCHILD
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	FAIRCHILD
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	OTHER
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	PHILIPS
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	Fairchild Semiconductor
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA	NXP
BF245A	Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA			15.04
L7805ABV	Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A	ST MICROELECTRONICS	12 240	18.42
L7805ABV	Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A		3 618	19.91
L7805ABV	Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A	ST MICROELECTRONICS SEMI
L7805ABV	Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A	STMicroelectronics
L7805ABV	Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A	КИТАЙ
L7805ABV	Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A	EBV
L7805ABV	Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A	4-7 НЕДЕЛЬ	267
L7809ABV		ST MICROELECTRONICS
L7809ABV				70.60
L7809ABV		STMicroelectronics
L7809ABV		КИТАЙ
L7809ABV		ST MICROELECTRONICS SEMI
L7809ABV		4-7 НЕДЕЛЬ	107
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А		2 012	5.47
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВ
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	RUS
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	880	12.40
КД514А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А	191