IRLD024
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 1.5A, 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLD024 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=60v, Rds (on) =0.10ohm, Id=2.5a)
Производитель:
|
