Версия для печати
Технические характеристики NCP1013AP133G

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Мощность (Ватт)	19W
Напряжение выходное	700V
Напряжение входное	8.5 V ~ 10 V
Частотный диапозон	117 ~ 143kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS	3 216	53.00
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус		4 820	24.60
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTR
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	STMICROELECTR
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	1
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	TOKMAS	2	27.95
		BTA16-600B		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	WEIDA	3	24.51
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		260	263.38
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	483	357.80
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	2	378.47
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	RUME	1 320	139.22
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FSC
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт			139.20
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	Fairchild Semiconductor
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIRCHILD
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS-FAIR	271	64.10
		LG016M6800BPF-2225		Электролитический алюминиевый конденсатор 6800 мкФ 16 В	YAGEO
		LG016M6800BPF-2225		Электролитический алюминиевый конденсатор 6800 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LG016M6800BPF-2225		Электролитический алюминиевый конденсатор 6800 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH035M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В	YAGEO
		SH035M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH035M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"