Версия для печати
Технические характеристики LG016M6800BPF-2225

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Номинальное напряжение	16 В
Ток утечки	2176 мкА
Тангенс угла диэлектрических потерь	55
Максимальный ток пульсаций	1.55 А
Шаг выводов	10 мм
Срок службы	2000 Ч
Размер корпуса	ф 22x25
Рабочая температура	-40...105 °C
	For General
Емкость	6800 мкФ
Серия	LG
Корпус (размер)	Snap In
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		316	263.38
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	480	362.28
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS	2	378.47
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FSC
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт			139.20
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	Fairchild Semiconductor
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIRCHILD
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS-FAIR
		SH025M1000B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%	YAGEO
		SH025M1000B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH025M1000B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH025M1000B5S-1019		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ, 25 В, 20%
		SH035M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В	YAGEO
		SH035M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SH035M1000B5S-1325		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000мкФ, 35 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	120	53.88
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8		12	55.50
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	60

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"