ПЛАТА ОДНОСТОРОННЯЯ 100Х160

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
ПЛАТА ОДНОСТОРОННЯЯ 100Х160		1 156.00
ПЛАТА ОДНОСТОРОННЯЯ 100Х160		1 156.00

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAPSMD 10/16V 0405 105C CE	Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 16 В, 105С	YAGEO
ECAPSMD 10/16V 0405 105C RC	Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 16 В	SAMWHA
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W		528	65.84
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	5 544	19.14
NE555N	Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ		1 284	11.34
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	БРЕСТ
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	П/П 1
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСК
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	RUS
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	СЗТП	880	24.99
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	ЦВЕТОТРОН	84	9.70
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	РОССИЯ
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД521А	Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ	1