|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1206-1.0M 1% |
|
ЧИП — резистор
|
|
66
|
2.08
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
|
|
39.16
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
КИТАЙ
|
4 616
|
137.19
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BSN254A |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 (MINI) |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
|
1 015
|
40.40
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
UMW
|
1 200
|
39.26
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
FULIHAO TECH
|
328
|
47.53
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
LM2575S-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
555
|
|
|
|
|
SRR1208-331KL |
|
Индуктивность экранированная 330мкГн SMD
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
SRR1208-331KL |
|
Индуктивность экранированная 330мкГн SMD
|
|
|
240.00
|
|
|
|
SRR1208-331KL |
|
Индуктивность экранированная 330мкГн SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SRR1208-331KL |
|
Индуктивность экранированная 330мкГн SMD
|
BOURNS
|
236
|
|
|