| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 500mV @ 10nA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 14pF @ 15V |
| Resistance - RDS(On) | 100 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Power - Max | 225mW |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
28 254
|
1.40
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
2 200
|
1.80
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
3 046
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
2 130
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIODES INC
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
101 461
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
266 348
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
LRC
|
1 600
|
2.07
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KOME
|
10
|
1.54
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SUNTAN
|
773
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
108 583
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR ELECTRONICS
|
383
|
1.18
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
18 356
|
1.27
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
XXW
|
192
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
CTK
|
2 028
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
97 252
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
MERRYELC
|
152 688
|
1.14
>500 шт. 0.38
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ASEMI
|
68 510
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
4605
|
|
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ELZET
|
115 200
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
BC857C |
|
Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
TRR
|
139 200
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
LM13700N |
|
ИМС Стабилизатор НАПР.57В 1.5В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM13700N |
|
ИМС Стабилизатор НАПР.57В 1.5В
|
|
|
254.00
|
|
|
|
LM13700N |
|
ИМС Стабилизатор НАПР.57В 1.5В
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM13700N |
|
ИМС Стабилизатор НАПР.57В 1.5В
|
NSC1
|
|
|
|
|
|
LM13700N |
|
ИМС Стабилизатор НАПР.57В 1.5В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM13700N |
|
ИМС Стабилизатор НАПР.57В 1.5В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM13700N |
|
ИМС Стабилизатор НАПР.57В 1.5В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM13700N |
|
ИМС Стабилизатор НАПР.57В 1.5В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
680
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 548
|
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
HOTTECH
|
93 001
|
0.81
>500 шт. 0.27
|
|
|
|
|
MMBD4148SE |
|
|
ANBON
|
904
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
|
|
2.44
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
MOTOROLA
|
2 041
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 733
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
OTHER
|
92
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1 |
|
Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц
|
LUGUANG
|
224
|
1.48
|
|
|
|
|
NJM4558M |
|
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
|
NJM4558M |
|
|
JRC
|
64
|
15.33
|
|
|
|
|
NJM4558M |
|
|
|
|
32.40
|
|
|
|
|
NJM4558M |
|
|
NJR
|
|
|
|
|
|
|
NJM4558M |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
NJM4558M |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
NJM4558M |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
115
|
|
|
|
|
|
NJM4558M |
|
|
80
|
|
|
|