BSC076N06NS3 G
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 50A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | OptiMOS™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 50A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4000pF @ 30V |
| Power - Max | 69W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-PowerTDFN |
| Корпус | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC110N06NS3G | INFINEON |
|
|
|||||
| BSC110N06NS3G | INFINEON |
|
|
|||||
| BSC110N06NS3G |
|
|
||||||
| GRM155R71A104KA01D | MURATA |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | MURATA |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| GRM155R71A104KA01D | MUR | 406 163 |
0.69 >500 шт. 0.23 |
|||||
| GRM155R71A104KA01D |
|
|
||||||
| RC0603FR-073K09 | YAGEO |
|
|
|||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | 332 | 195.25 | ||||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology |
|
|
|||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | MICRO CHIP | 432 | 206.64 | |||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | SILICON STORAGE TECHNOLOGY |
|
|
|||||
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | 4-7 НЕДЕЛЬ | 639 |
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I | XILINX |
|
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I | Xilinx Inc |
|
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I |
|
|
||||||
| XC3S50A-4VQG100I | XILINX |
|
|
|||||
| XC3S50A-4VQG100I | 4-7 НЕДЕЛЬ | 121 |
|
