STW26NM60-H
|
Версия для печати
| Производитель | ST Microelectronics |
| Тип канала | N |
| Корпус (размер) | TO 247 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 12062R473K9BB00 | PHILIPS |
|
|
|||||
| 12062R473K9BB00 | PHILIPS |
|
|
|||||
| AT6003-4AC | ATMEL |
|
|
|||||
 |
 |
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W |
|
130.36 | ||
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | ISC |
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W | 1 |
|
|
|
| ECAP 22/350V 1321 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 350 В | JAM |
|
|
|||
| ECAP 22/350V 1321 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 350 В | JAMICON |
|
|
|||
| ECAP 22/350V 1321 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 22 мкФ 350 В |
|
88.52 | ||||
| MMBD7000LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MMBD7000LT1G | ONS | 2 000 | 9.30 | |||||
| MMBD7000LT1G | 23 680 | 1.16 | ||||||
| MMBD7000LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 1 587 |
|
|||||
| MMBD7000LT1G | HXY | 2 168 |
1.62 >100 шт. 0.81 |
