|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 3.6A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 266pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0603 10 КОМ 5% (RC0603JR-0710K) | PHYCOMP |
|
|
|||||
| 0603 10 КОМ 5% (RC0603JR-0710K) | YAGEO |
|
|
|||||
|
|
|
GRM21BR71E105K |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 25В, 0805 | MURATA |
|
|
|
|
|
|
GRM21BR71E105K |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 25В, 0805 |
|
3.92 | ||
|
|
|
GRM21BR71E105K |
|
Керамический ЧИП конденсатор 1 мкФ, X7R, 10%, 25В, 0805 | ЯПОНИЯ |
|
|
|
| HU-06 WIRE 0,3M AWG26 |
|
|
||||||
| PIC12F1822-I/SN | MICRO CHIP | 37 | 154.98 | |||||
| PIC12F1822-I/SN | Microchip Technology |
|
|
|||||
| PIC12F1822-I/SN | MICRO CHIP | 2 532 |
|
|||||
| PIC12F1822-I/SN | ТАИЛАНД |
|
|
|||||
| PIC12F1822-I/SN | 1 184 | 79.28 | ||||||
| PIC12F1822-I/SN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 694 |
|
|||||
| RC1206FR-071RL | YAGEO | 608 997 |
1.44 >500 шт. 0.48 |
|||||
| RC1206FR-071RL |
|
|