| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.6V @ 15A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Average Rectified (Io) | 15A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20µA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Тип монтажа | Through Hole, Radial |
| Корпус (размер) | DOP3I-2 Insulated (Straight Leads) |
| Корпус | DOP3I |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.80
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
7 176
|
4.65
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
132
|
1.68
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ONS
|
11 975
|
4.57
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 108
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
|
320
|
1.10
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SAE800 |
|
Генератор одно-/двух-/трех-тонального сигнала (Vs=2.8-18V)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SAE800 |
|
Генератор одно-/двух-/трех-тонального сигнала (Vs=2.8-18V)
|
|
|
529.24
|
|
|
|
|
SAE800 |
|
Генератор одно-/двух-/трех-тонального сигнала (Vs=2.8-18V)
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SAE800 |
|
Генератор одно-/двух-/трех-тонального сигнала (Vs=2.8-18V)
|
АВСТРИЯ
|
|
|
|
|
|
|
SAE800 |
|
Генератор одно-/двух-/трех-тонального сигнала (Vs=2.8-18V)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
776
|
|
|
|
|
|
STY60NK30Z |
|
N-channel 300v - 0.033? - 60a max247 zener-protected supermesh™power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
2
|
1 184.47
|
|
|
|
|
STY60NK30Z |
|
N-channel 300v - 0.033? - 60a max247 zener-protected supermesh™power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STY60NK30Z |
|
N-channel 300v - 0.033? - 60a max247 zener-protected supermesh™power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STY60NK30Z |
|
N-channel 300v - 0.033? - 60a max247 zener-protected supermesh™power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
TPS73001DBVT |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPS73001DBVT |
|
|
TEXAS
|
136
|
42.69
|
|
|
|
|
TPS73001DBVT |
|
|
|
|
63.72
|
|
|
|
|
TPS73001DBVT |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TPS73001DBVT |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
TPS73001DBVT |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
TPS73001DBVT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
516
|
|
|
Версия для печати
