RC0201FR-07100KL
|
|
Версия для печати
| Сопротивление (Ом) | 100K |
| Серия | RC0201 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Мощность (Ватт) | 0.05W, 1/20W |
| Composition | Thick Film |
| Температурный коэфициент | ±200ppm/°C |
| Допустимые отклонения емкости | ±1% |
| Size / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| Высота | 0.010" (0.26mm) |
| Number of Terminations | 2 |
| Корпус (размер) | 0201 (0603 Metric) |
| Tolerance | ±1% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CC1206KKX5R9BB106 | YAGEO | 432 279 | 2.47 | |||||
| CC1206KKX5R9BB106 |
|
|
||||||
 |
 |
FDN357N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | FAIR |
|
|
|
|
|
|
FDN357N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | FAIRCHILD |
|
|
|
|
|
|
FDN357N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | FAIRCHILD | 930 |
|
|
|
|
|
FDN357N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | Fairchild Semiconductor |
|
|
|
|
|
|
FDN357N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | 7 200 | 7.93 | ||
|
|
|
FDN357N |
|
N-channel logic level enhancement mode field effect transistor | ONS | 1 629 | 9.22 | |
| GRM033R61A225KE47D | MURATA |
|
|
|||||
| GRM033R61A225KE47D | MUR | 34 831 |
1.14 >100 шт. 0.57 |
|||||
| GRM1555C1H2R2CA01D | MURATA | 122 000 |
1.05 >500 шт. 0.35 |
|||||
| GRM1555C1H2R2CA01D | MURATA |
|
|
|||||
| GRM1555C1H2R2CA01D | MUR | 82 753 |
0.75 >1000 шт. 0.15 |
|||||
| GRM1555C1H2R2CA01D | 65 |
1.05 >500 шт. 0.35 |
||||||
|
|
INA219BIDCNT |
|
Texas Instruments |
|
|
|||
|
|
INA219BIDCNT |
|
|
|
