IRS2302

Версия для печати

Технические характеристики IRS2302

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Конфигурация	High and Low Side, Independent
Тип входа	Non-Inverting
Время задержки	220ns
Ток пиковое значение	200mA
Число конфигураций	1
Число выходов	2
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)	600V
Напряжение питания	5 V ~ 20 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	207 581	1.02
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	TOP DIODE	81 600	1.06
KXO-V97T 30.0 MHZ		GEYER ELECTRONIC
KXO-V97T 30.0 MHZ		GEYER
KXO-V97T 30.0 MHZ
MB1S		FAIR
MB1S		FAIRCHILD
MB1S		FAIRCHILD	1 666
MB1S			5 638	1.46
MB1S		Fairchild Semiconductor
MB1S		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
MB1S		YJ	10 696	2.19
MB1S		KINGTRONICS
MB1S		FSC
MB1S		ONS
MB1S		ONS-FAIR
MB1S		SONITRON
MB1S		YANGJIE (YJ)
MB1S		SEP	1 256	2.07
MB1S		HOTTECH
MB1S		TOSHIBA
MB1S		CJ
MB1S		YANGZHOU YANGJIE
MB1S		3985	1	1.56
MB1S		68	1	20.49
MB1S		688	80	2.00 >100 шт. 1.00
MB1S		990	1	2.46
ТОТ- 34			1	420.00
ТОТ-35				1 360.00
ТОТ-35		ИЗУМРУД
ТОТ-35		СТАВРОПОЛЬ
ТОТ-35		РОССИЯ