WG240128E-PGB-VZ

Версия для печати

Технические характеристики WG240128E-PGB-VZ

Производитель	WINSTAR Display Co., Ltd.
Вес	188.000 г
Тип дисплея	Графический
Тип встроенного контроллера/драйвера	T6963C
Технология ЖК	STN
Тип подсветки	LED
Разрешение	240x128
Цвет символов	серый #
Цвет фона	голубой
Угол зрения	6
Встроенные возможности	DC/DC для Vlcd
Рабочая температура	0...50 °C
Размер корпуса	144.0x104.0 мм
	Z(LC7941,LC7940>NT7086)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT24C08A-10PU-2.7	EEPROM serial I2C 1Kx8	ATMEL
AT24C08A-10PU-2.7	EEPROM serial I2C 1Kx8			31.16
AT24C08A-10PU-2.7	EEPROM serial I2C 1Kx8	ATMEL CORPORATION	125
AT24C08A-10PU-2.7	EEPROM serial I2C 1Kx8	4-7 НЕДЕЛЬ	530
DS12887	ИМС часы для ПЭВМ 5В	MAXIM
DS12887	ИМС часы для ПЭВМ 5В	DALLAS
DS12887	ИМС часы для ПЭВМ 5В			728.00
DS12887	ИМС часы для ПЭВМ 5В	DALLAS
DS12887	ИМС часы для ПЭВМ 5В	MAX
DS12887	ИМС часы для ПЭВМ 5В	Maxim Integrated Products
DS12887	ИМС часы для ПЭВМ 5В	4-7 НЕДЕЛЬ	296
LTV-845		LITE ON OPTOELECTRONICS
LTV-845		LITE ON OPTOELECTRONICS
LTV-845		Lite-On Inc
LTV-845		LITE-ON	303	55.39
LTV-845			16
LTV-845		LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	7
LTV-845		LIT	1 918	32.16
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).			230.96
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRONICS SEMI
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	STMicroelectronics
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTR
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST1
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	SGS THOMSON
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	ST MICROELECTRO
M27C256B-10F1	Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).	4-7 НЕДЕЛЬ	321
M5450B7		ST MICROELECTRONICS
M5450B7				378.24
M5450B7		STMicroelectronics
M5450B7		4-7 НЕДЕЛЬ	304