| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
|
|
29.04
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
ATMEGA328P-PU |
|
8-разрядный высокопроизводительный микроконтроллер с низким энергопотреблением
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA328P-PU |
|
8-разрядный высокопроизводительный микроконтроллер с низким энергопотреблением
|
|
220
|
264.51
|
|
|
|
ATMEGA328P-PU |
|
8-разрядный высокопроизводительный микроконтроллер с низким энергопотреблением
|
MICRO CHIP
|
608
|
365.40
|
|
|
|
ATMEGA328P-PU |
|
8-разрядный высокопроизводительный микроконтроллер с низким энергопотреблением
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
L78M05CV |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
347
|
53.04
|
|
|
|
|
L78M05CV |
|
|
|
|
32.40
|
|
|
|
|
L78M05CV |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
28
|
|
|
|
|
|
L78M05CV |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L78M05CV |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L78M05CV |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
|
16
|
241.80
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST1
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
M27C256B-10F1 |
|
Память ПЗУ с УФ-стиранием (32K x 8bit, 100ns, Vcc=4.5-5.5V, Vpp=12.5-13V, 0 to +70C).
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
ФР-764 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
|
9
|
1 050.18
|
|
|
|
ФР-764 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
АЛМАЗ
|
|
|
|