SDR1006-120ML
|
|
Версия для печати
| Производитель | BOURNS, INC. |
| Номинальная индуктивность | 12 мк Гн |
| Допуск индуктивности | ±20% |
| Ток насыщения на 20С | 4.5 А |
| Ток RMS | 2.45 А |
| Частота тестирования | 2.52 МГц |
| Резонансная частота типичная | 20 МГц |
| Максимальное омическое сопротивление | 70 мОм |
| Добротность типичная на частоте 1 | 30 |
| Тип монтажа | SMD |
| Магнитное экранирование | Нет |
| Размер корпуса | 10.0x10.0x6.0 мм |
| Рабочая температура | -40...125 °C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100N03A | YOUTAI | 95 484 | 8.39 | |||||
| 100N03A | UMW-YOUTAI |
|
|
|||||
| 100N03A |
|
|
||||||
| DB- 9F | KLS |
|
|
|||||
| DB- 9F | КИТАЙ |
|
|
|||||
| DB- 9F | CONNFLY |
|
|
|||||
| DB- 9F |
|
|
||||||
| DB- 9F | NXU |
|
|
|||||
 |
 |
IRLR3105 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLR3105 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
57.20 | ||
|
|
|
IRLR3105 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INFINEON |
|
|
|
| LBH-10-G-01 |
|
19.00 | ||||||
| LBH-26-G |
|
35.28 |
