PMD2412PMB1-A.[2].GN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMD2412PMB1-A.[2].GN (SUNON)	505	1 436.80
PMD2412PMB1-A.[2].GN		3 960.00

Версия для печати

Технические характеристики PMD2412PMB1-A.[2].GN

Производитель	SUNONWEALTH ELECTRIC MACHINE INDUSTRY CO. LTD
Рабочее напряжение	24 В
Тип питания	DC
Подшипник	Ball
Рабочий ток	0.76 А
Номинальная мощность	18.2 Вт
Скорость вращения лопастей	4200 об/мин
Уровень шума	54 dBA
Производительность	5.38 м^3/мин
Расстояние между монтажными отверстиями	105 мм
Размер	120.0x120.0x38.0 мм
Вес	330 г

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	VISHAY
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	INTERNATIONAL RECTIFIER
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB			19.40
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	INTERNATIONAL RECTIFIER	56
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	Vishay/Semiconductors
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	SUNTAN
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	SMCMICRO	1 650	15.40
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	SMC
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	HOTTECH
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	KLS
10BQ040TR	SMD диод Шоттки Vrrm=40 В, Ifav=1A, корпус SMB	LGE	2 346	8.25
A2175-HBT-TC.GN	(JA1751H2B (B22Н) ) вентилятор 220В, 172х150х51мм, подшипник качения 2600 об/мин	SUNON	210	3 585.42
A2175-HBT-TC.GN	(JA1751H2B (B22Н) ) вентилятор 220В, 172х150х51мм, подшипник качения 2600 об/мин		8	6 105.00
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	Fairchild Semiconductor
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FSC
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	FAIRCHILD
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONSEMICONDUCTOR
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS	823	428.56
FGH40N60UFDTU	Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт	ONS-FAIR
IKW50N60H3FKSA1		INFINEON	682	301.44
IKW50N60H3FKSA1			296	224.02
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS	126	367.43
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	STMicroelectronics
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet		140	288.62
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet		140	288.62
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRO
STW9N150	N-channel 1500 v - 1.8 ? - 8 a - to-247 very high voltage powermesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI	1 200