B43458A9338M

Версия для печати

Технические характеристики B43458A9338M

Производитель	EPCOS (SIEMENS MATSUSHITA COMP.)
Допуск емкости	±20%
Емкость	3300 мкФ
Эквивалентное последовательное сопротивление	23 мОм
Максимальный ток пульсаций	11 А
Срок службы	12000 Ч
Размер корпуса	ф 64.3x105.7
Рабочая температура	-40...85 °C
Номинальное напряжение	400 В
Серия	B43458
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Screw Terminal
Тип	Электролитический алюминиевый

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BDP949H6327		INFINEON
BDP949H6327
IR21531STRPBF		INTERNATIONAL RECTIFIER
IR21531STRPBF		INFINEON	3 524	123.98
IR21531STRPBF			1 856	94.02
IRFB4321PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFB4321PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A	INTERNATIONAL RECTIFIER	32
IRFB4321PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A	INFINEON	8	180.07
IRFB4321PBF	Транзистор N-канальный MOSFET 150V 83A
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ON SEMICONDUCTOR
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)		213	64.75
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ONS	3 145	20.44
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ON SEMICONDUCTOR
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ON SEMICONDUCTO
MUR1620CTG	Диод 200V, 2x8A, 35nS (Ultrafast)	ONSEMICONDUCTOR
STTH5R06FP
STTH5R06FP		ST MICROELECTRONICS
STTH5R06FP		STMicroelectronics	4	65.85
STTH5R06FP		ST MICROELECTRONICS SEMI	304
STTH5R06FP		ST1
STTH5R06FP		0.00