Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Frequency - Transition | 6GHz |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz |
Power - Max | 300mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | TO-236AB |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4122 (6LF22,6LR61) |
|
|
VARTA
|
|
|
|
|
|
4122 (6LF22,6LR61) |
|
|
|
|
|
|
|
|
B66363-G 500-X187, N87, ETD39 |
|
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
92 224
|
1.06
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
2 885
|
2.69
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
20 850
|
2.24
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
124 241
|
1.36
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.77
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
2.44
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
54 407
|
1.45
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
199 126
|
1.33
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
74 880
|
1.16
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
DC COMPONENTS
|
51 828
|
3.80
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
|
9
|
15.12
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIC
|
16 931
|
2.27
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
GALAXY ME
|
599
|
4.14
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YJ
|
336
|
18.60
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE
|
12 400
|
2.87
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MIG
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
SEMTECH
|
129
|
5.01
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
OLITECH
|
1 600
|
2.40
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
1
|
|
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
MDD
|
528
|
2.46
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
RUME
|
10 800
|
1.68
|
|
|
|
HER208 |
|
Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
|
8
|
22.08
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
МЕЗОН
|
67
|
113.65
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
К555ЛН1 |
|
Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 6 логических элементов НЕ
|
RUS
|
|
|
|