Версия для печати
Технические характеристики CB016M0100RSD-0605

Производитель	Yageo Corporation
Допуск емкости	±20%
Тангенс угла диэлектрических потерь	0.2
Эквивалентное последовательное сопротивление	3500 мОм
Максимальный ток пульсаций	0.1 А
Срок службы	1000 Ч
Размер корпуса	ф 6x5
Рабочая температура	-40...105 °C
	Surface Mount Aluminum electrolytic
Номинальное напряжение	16 В
Серия	CB
Емкость	100 мкФ
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ATTINY85-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 2-ch ...	ATMEL
		ATTINY85-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 2-ch ...			520.80
		ATTINY85-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 2-ch ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		ATTINY85-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 2-ch ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ATTINY85-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 2-ch ...	MICRO CHIP	121	247.97
		ATTINY85-20SU		8- бит AVR RISC микроконтроллер (2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 2-ch ...	4-7 НЕДЕЛЬ	383
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...		79 440	1.07
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	UTC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	INFINEON
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD	2 248
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	OTHER
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	Fairchild Semiconductor
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	КИТАЙ
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DI
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FSC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DIODES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS-FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	LRC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR	256
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KLS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	PANJIT	1	2.71
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YJ	108 380	2.07
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	HOTTECH	48 833	1.20
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SIKOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JSCJ	20 359	1.03
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YOUTAI	26 139	1.52  >100 шт.   0.76
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SUNTAN	74 973	1.47
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SHIKUES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	EVVO	54 349	1.60  >100 шт.   0.80
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGZHOU YANGJIE
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	DC COMPONENTS	9 942	9.89
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD		4 529	3.43
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	YL
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	КИТАЙ
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	KINGTRONICS
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	YJ	800	9.30
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	YANGJIE (YJ)
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	KLS
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	HOTTECH
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	SUNTAN	12 576	5.63
		DB102S		Мост 1А, 100В, SMD	SEP	368	7.15
		MAX44009EDT+			MAX
		MAX44009EDT+			MAXIM	17	588.00
		MAX44009EDT+
		MAX44009EDT+			4-7 НЕДЕЛЬ	475
		SH016M1000A5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	YAGEO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"