|
Версия для печати
| Производитель | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| Температурный коэфициент | X7R |
| Допуск емкости | ±10% |
| Номинальное постоянное напряжение | 10 В |
| Тип диэлектрика | X7R |
| Номинальное напряжение | 10 В |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Tin Plated Layer | |
| Размер | 2.0x1.2x1.2 |
| Емкость | 4.7 мкФ |
| Серия | GRM |
| Корпус (размер) | 0805 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CAT16-103J2LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 2х10 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
CAT16-103J2LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 2х10 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
CAT16-103J2LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 2х10 кОм |
|
|
|||
| CAT16-104J4LF | BOURNS |
|
|
|||||
| CAT16-104J4LF |
|
|
||||||
| GNL-5013PGD | G-NOR | 4 115 | 3.39 | |||||
| GNL-5013PGD |
|
|
||||||
| NSI45020AT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | ONS |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | 340 | 7.50 | ||||||
| NSI45020AT1G | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | 1 |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 501 |
|
|||||
| ИК-ПРИЁМ.:TSOP-34836 |
|
|
||||||
| ИК-ПРИЁМ.:TSOP-34836 | VISHAY |
|
|