|
Версия для печати
| Производитель | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| Температурный коэфициент | X7R |
| Допуск емкости | ±10% |
| Номинальное постоянное напряжение | 10 В |
| Тип диэлектрика | X7R |
| Номинальное напряжение | 10 В |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Tin Plated Layer | |
| Размер | 2.0x1.2x1.2 |
| Емкость | 4.7 мкФ |
| Серия | GRM |
| Корпус (размер) | 0805 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CAT16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | BOURNS | 6 160 | 7.23 | ||
|
|
CAT16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм |
|
7.00 | |||
|
|
CAT16-103J4LF |
|
ЧИП-резисторная сборка 4х10 кОм | BOURNS |
|
|
||
| HC-49SM-8000,0 КГЦ |
|
|
||||||
| IRLML2502TR PBF SOT23 |
|
|
||||||
| IRLML2502TR PBF SOT23 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | ONS |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | 1 284 | 6.64 | ||||||
| NSI45020AT1G | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | 1 |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 501 |
|
|||||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS | 483 | 293.50 | ||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
684 | 209.89 | |||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMICROELECTR |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 516 |
|