|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 744
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
7 817
|
2.18
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
35 563
|
3.80
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
574 147
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
42 925
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.64
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
5 611
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
126 381
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
67 200
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
203 324
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN101 |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 50 В
|
YAGEO
|
487 366
|
0.87
>500 шт. 0.29
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN101 |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 50 В
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
CC0805JRNPO9BN101 |
|
Керамический конденсатор 100 пФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-0712KL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-0712KL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-0712KL |
|
|
Yageo
|
307 289
|
0.60
>1000 шт. 0.12
|
|
|
|
RC0805FR-0712KL |
|
|
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-0720KL |
|
|
YAGEO
|
482 402
|
0.90
>1000 шт. 0.18
|
|
|
|
RC1206JR-0720KL |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC1206JR-0720KL |
|
|
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DIC
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SMK
|
104
|
5.63
|
|
|
|
US1D |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
DC COMPONENTS
|
11 168
|
1.91
|
|
|
|
US1D |
|
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
|
14 400
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
US1D |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
4 400
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YJ
|
83 304
|
1.06
|
|
|
|
US1D |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
HOTTECH
|
136 534
|
1.03
|
|
|
|
US1D |
|
|
PANJIT
|
324
|
7.40
|
|
|
|
US1D |
|
|
SUNTAN
|
48
|
1.69
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
US1D |
|
|
ASEMI
|
80
|
1.30
|
|
|
|
US1D |
|
|
SUNMATE
|
13 632
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
US1D |
|
|
YANGZHOU YANGJIE
|
3 444
|
2.98
|
|