Версия для печати
Технические характеристики CC0603ZRY5V7BB105

Производитель	Yageo Corporation
Количество в упаковке	4000 шт.
Вес	0.037 г
Допуск емкости	+80/-20%
Номинальное постоянное напряжение	16 В
Тип диэлектрика	Y5V
Рабочая температура	-30...85 °C
	Multilayer chip capacitance
Размер	1.6x0.8x0.8
Номинальное напряжение	16 В
Температурный коэфициент	Y5V
Емкость	1 мкФ
Серия	CC_0603
Корпус (размер)	0603
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	-20%, +80%
Tolerance	-20%, +80%
Рабочая температура	-30°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Thickness	0.031" (0.80mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1-84953-6			TE Connectivity
		1-84953-6			TYCO
		1-84953-6			TE	3 512	74.32
		1-84953-6
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	3 200	1.43
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	47 444	3.06
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	444	2.93
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MCC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DI
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ITT SEMICONDUCTOR	2 181
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	STMicroelectronics
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP SEMIC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	МАЛАЙЗИЯ
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON TECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		21 604	1.26  >500 шт.   0.42
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIODES
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	810 260	1.64  >100 шт.   0.82
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DCCOMPONENTS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	77 622	1.52  >100 шт.   0.76
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	740	1.03
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR	127 200	1.26  >500 шт.   0.42
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	1
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEFAN
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SLKOR	160 977	1.22
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEXPERIA	22 518	1.33
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PLINGSEMIC	81 532	1.44  >500 шт.   0.48
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEEN SIDE	138	1.18  >100 шт.   0.59
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MERRYELC
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	253
		BC847B		Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	RUME	148 800	1.26  >500 шт.   0.42
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	YAGEO	244 373	1.19
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	PHYCOMP
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805			4.00
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	PHYCOMP
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0805KRX7R9BB222		Керамический ЧИП конденсатор 2200 пф, X7R,(10%), 0805	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC1206KRX7R8BB104		Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В	YAGEO	82 594	1.56
		CC1206KRX7R8BB104		Керамический конденсатор 0.1 мкФ 25 В
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А			20.24
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON	1	16.20
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	VBSEMI
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	TECH PUB
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	TRR
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	47 088	3.76

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"