|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Reference Type | Shunt, Precision |
| Напряжение выходное | 2.5V |
| Допустимые отклонения емкости | ±0.5% |
| Температурный коэфициент | 100ppm/°C |
| Количество каналов | 1 |
| Ток катод | 80µA |
| Ток выходной | 15mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Tolerance | ±0.5% |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AT45DB041E-SHN-T | ADESTO |
|
|
|||||
| AT45DB041E-SHN-T | 2 372 | 28.93 | ||||||
| AT45DB041E-SHN-T | RENESAS |
|
|
|||||
| AT45DB041E-SHN-T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 182 |
|
|||||
|
|
|
IRFML8244TRPBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRFML8244TRPBF |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
IRFML8244TRPBF |
|
INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
IRFML8244TRPBF |
|
4 800 | 11.87 | |||
| LMR64010XMF/NOPB | 24 | 31.31 | ||||||
| LMR64010XMF/NOPB | TEXAS |
|
|
|||||
| LMR64010XMF/NOPB | 4-7 НЕДЕЛЬ | 292 |
|
|||||
| STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM | ST MICROELECTRONICS | 728 | 320.29 | |||
| STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM |
|
|
||||
| STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM | STMicroelectronics |
|
|
|||
| STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||
| STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM | ST MICROELECTRONICS SEMI | 32 |
|
|||
| STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM | STMICROELECTR |
|
|
|||
| STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM | 4-7 НЕДЕЛЬ | 712 |
|
|||
|
|
|
TL331KDBVR |
|
Texas Instruments | 24 | 20.47 | ||
|
|
|
TL331KDBVR |
|
TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
|
TL331KDBVR |
|
TEXAS |
|
|
||
|
|
|
TL331KDBVR |
|
2 280 | 21.99 | |||
|
|
|
TL331KDBVR |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 271 |
|