|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
DC COMPONENTS
|
7 312
|
2.00
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C6V2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
GRM31BR73A511KW01L |
|
Керамический конденсатор 510 пФ 1 кВ
|
MUR
|
|
|
|
|
|
GRM31BR73A511KW01L |
|
Керамический конденсатор 510 пФ 1 кВ
|
|
8
|
|
|
|
|
MAX4617ESE+ |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MAX4617ESE+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
MAX4617ESE+ |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
MAX4617ESE+ |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
MAX4617ESE+ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
654
|
|
|
|
|
STM32F103C8T6 |
|
ИМС МК ARM CORTEX
|
ST MICROELECTRONICS
|
29 756
|
126.98
|
|
|
|
STM32F103C8T6 |
|
ИМС МК ARM CORTEX
|
|
2 452
|
107.42
|
|
|
|
STM32F103C8T6 |
|
ИМС МК ARM CORTEX
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F103C8T6 |
|
ИМС МК ARM CORTEX
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F103C8T6 |
|
ИМС МК ARM CORTEX
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STM32F103C8T6 |
|
ИМС МК ARM CORTEX
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STM32F103C8T6 |
|
ИМС МК ARM CORTEX
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM32F103C8T6 |
|
ИМС МК ARM CORTEX
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
36
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
|
1
|
13.62
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ДАЛЕКС
|
2 628
|
31.73
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3130А9 |
|
Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|