15EDGK-3.5-02P

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C6V2		DC COMPONENTS	6 848	2.02
BZV55-C6V2		NXP
BZV55-C6V2		PHILIPS
BZV55-C6V2		DC COMPONENTS
BZV55-C6V2		NXP
BZV55-C6V2		PHILIPS
BZV55-C6V2		KINGTRON
BZV55-C6V2
GRM31BR73A511KW01L	Керамический конденсатор 510 пФ 1 кВ	MUR
GRM31BR73A511KW01L	Керамический конденсатор 510 пФ 1 кВ		8
MAX4617ESE+		MAXIM
MAX4617ESE+
MAX4617ESE+		MAX
MAX4617ESE+		Maxim Integrated Products
MAX4617ESE+		4-7 НЕДЕЛЬ	654
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	ST MICROELECTRONICS	22 204	125.45
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX		2 556	105.81
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	ST MICROELECTRONICS SEMI
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	STMicroelectronics
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	КИТАЙ
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	ST MICROELECTRO
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	STMICROELECTR
STM32F103C8T6	ИМС МК ARM CORTEX	4-7 НЕДЕЛЬ	36
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		1	13.62
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	2 434	31.73
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ

15EDGK-3.5-02P

КАТАЛОГ

КОММУТАЦИЯ

РАЗЪЕМЫ

КЛЕММНЫЕ КОЛОДКИ И ЗАЖИМЫ

БЛОКИ ЗАЖИМОВ

С этим товаром покупают: