ZVN4525GTA
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 310mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.65nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 72pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADP2108AUJZ-1.5 |
|
|
||||||
| ADP2108AUJZ-1.5 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 701 |
|
|||||
| AM26LV32EIPWR | 1 |
|
||||||
| AM26LV32EIPWR | Texas Instruments |
|
|
|||||
| AM26LV32EIPWR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| AM26LV32EIPWR | TEXAS | 156 | 89.81 | |||||
| AM26LV32EIPWR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 735 |
|
|||||
| DHRB34A102M2BB |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 10000 В | MURATA |
|
|
|||
| DHRB34A102M2BB |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 10000 В |
|
75.96 | ||||
| DHRB34A102M2BB |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 10000 В | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| DHRB34A102M2BB |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 10000 В | MURATA |
|
|
|||
| LQN4N-1000 МКГН-10% | 44 | 42.55 | ||||||
| RC0603JR-075R1 | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603JR-075R1 | YAGEO |
|
|
