|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
|
|
1 140.00
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
|
1
|
18.96
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
ANK
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
7812C |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +12V, 1.0A, 4%, 0..+125C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
799
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
62.37
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
3
|
74.00
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2Р |
|
|
|
|
158.40
|
|
|
|
К1156ЕУ2Р |
|
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2Р |
|
|
НТЦ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2Р |
|
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2Р |
|
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2Р |
|
|
КРЕМНИЙ
|
846
|
260.49
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
|
|
18.36
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСК
|
3
|
16.80
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
СЗТП
|
26
|
41.58
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КС213Б |
|
Двуханодный стабилитрон с номинальным напряжением стабилизации 13В, 3 ... 10мА, 0.125Вт
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|