|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC
|
2 128
|
3.10
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DC COMPONENTS
|
77 084
|
2.11
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
FAIRCHILD
|
1 304
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
149
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OTHER
|
44
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS
|
1 404
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY
|
541
|
2.12
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
18 491
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YJ
|
844 257
|
1.19
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
100
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
HOTTECH
|
719 976
|
1.05
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
PANJIT
|
24 773
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
GOOD-ARK SEMICONDUCTOR
|
27
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE
|
14 400
|
1.17
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
1 760
|
3.10
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
TWGMC
|
30 890
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
OLITECH
|
154
|
1.88
>100 шт. 0.94
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JSCJ
|
160 567
|
1.19
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
YOUTAI
|
59 818
|
1.08
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
JINGDAO
|
2 520
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEXPERIA
|
1 840
|
1.68
|
|
|
|
BAT54S |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
ASEMI
|
204 000
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
11.34
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
52
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
INFINEON
|
115 135
|
8.49
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
|
25 852
|
16.65
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML2803TRPBF |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=1.2A@T=25C, Id=0.93A@T=70C, Rds=0.25 R, ...
|
TRR
|
21 600
|
4.13
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRONICS
|
17 994
|
27.90
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FSC
|
177
|
11.72
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
|
1
|
45.36
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
2 868
|
10.73
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
WS
|
19 432
|
15.80
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
WINGSHING
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
LUGUANG
|
2 695
|
6.80
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
53
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
|
|
47.44
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM337LZ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
555
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.74
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
6 561
|
4.65
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|