| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
93C66B-I/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
93C66B-I/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
93C66B-I/SN |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
93C66B-I/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
542
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
|
22 412
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NXP
|
43
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PHI
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
HOTTECH
|
41 591
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YJ
|
2 472 256
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
JSCJ
|
154 422
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
SUNTAN
|
525
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
KEEN SIDE
|
19 504
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
MERRYELC
|
23 920
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
|
BAS316 |
|
Диод
|
YANGJIE
|
73 106
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
|
IRF9Z34N |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=19A@T=25C, Id=14A@T=100C, Rds=0.1 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34N |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=19A@T=25C, Id=14A@T=100C, Rds=0.1 ...
|
|
1 256
|
22.14
|
|
|
|
|
IRF9Z34N |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=19A@T=25C, Id=14A@T=100C, Rds=0.1 ...
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34N |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=19A@T=25C, Id=14A@T=100C, Rds=0.1 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34N |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=19A@T=25C, Id=14A@T=100C, Rds=0.1 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34N |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=19A@T=25C, Id=14A@T=100C, Rds=0.1 ...
|
JSMICRO
|
1 336
|
23.11
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
STMicroelectronics
|
18
|
29.04
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
|
|
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
199
|
|
|
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
|
|
4.80
|
|
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
Версия для печати
