SCART
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
DIP28-W |
|
Панель DIP-28W с плоскими контактами, шаг 2,54 мм. |
|
10.00 | ||
|
|
|
DIP28-W |
|
Панель DIP-28W с плоскими контактами, шаг 2,54 мм. | HSUAN MAO |
|
|
|
| KXO-210 4.0 MHZ | GEYER ELECTRONIC |
|
|
|||||
| KXO-210 4.0 MHZ |
|
268.80 | ||||||
| KXO-210 4.0 MHZ | GEYER |
|
|
|||||
| ДМ-0.1-100 | 4 | 4.38 | ||||||
| ДМ-0.1-100 | ОАО "ГЕОРГИЕВСКИЙ ТРАНСФОРМАТОРНЫЙ ЗАВОД" |
|
|
|||||
| ДМ-0.1-100 | "КЕЧАРК" Г.РАЗДАН |
|
|
|||||
 |
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | 872 | 12.25 | ||
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | КРЕМНИЙ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | БРЯНСК | 3 956 | 16.00 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ВОРОНЕЖ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| РК170-4000КГЦ |
|
37.84 |
