| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W
|
|
|
641.12
|
|
|
|
BUP314 |
|
Транзистор IGBT (БТИЗ) единичный 1200V 52A 300W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
4
|
238.14
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
|
248
|
88.20
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTRESIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IR/VISHAY
|
12
|
217.80
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
HXY
|
16
|
115.98
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
58.59
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
|
248
|
44.40
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRLR024N |
|
Транзистор полевой SMD N-MOS 55V, 17A, 45W (Logic-Level)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ST13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
ST13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт
|
|
|
38.00
|
|
|
|
ST13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ST13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
ST13007 |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт
|
ST1
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
|
427
|
15.12
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
13.61
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
МИНСК
|
612
|
8.40
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
404
|
12.47
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ДАЛЕКС
|
536
|
12.40
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
672
|
4
|
202 823.64
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
94
|
4
|
203 025.25
|
|