|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BEL
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CDIL
|
403
|
39.65
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SOLITRON DEVICES INC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MICROSEMI CORP
|
5
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
|
21 660
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BHARAT
|
80
|
71.82
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SEMTECH
|
16
|
2.21
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HOTTECH
|
540
|
2.13
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HXY
|
2 308
|
1.74
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
|
328
|
42.55
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
ATMEL CORPORATION
|
16
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT93C56A-10SU-2.7 |
|
Энергонезависимая память
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
197
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
|
676
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TELEFUNKEN
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TEMIC
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
ФИНЛЯНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
DC COMPONENTS
|
30 127
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
TFK
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
KLS
|
1 222
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
ТАЙВАНЬ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V0 |
|
Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
|
10 824
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 032
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
БРЕСТ
|
10 587
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
КИТАЙ
|
266
|
4.91
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
DC COMPONENTS
|
104 350
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
KLS
|
108
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BZX55C3V9 |
|
Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)
|
SEMTECH
|
3 179
|
1.34
|
|
|
|
MF-0.5-1.0K 5% |
|
Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.5Вт, 1кОм, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.5-1.0K 5% |
|
Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.5Вт, 1кОм, 5%
|
|
36
|
2.84
|
|