Версия для печати
Технические характеристики ATTINY12L-4SU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	AVR® ATtiny
Процессор	AVR
Размер ядра	8-Bit
Скорость	4MHz
Периферия	POR, WDT
Число вводов/выводов	6
Размер программируемой памяти	1KB (512 x 16)
Тип программируемой памяти	FLASH
EEPROM Size	64 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	2.7 V ~ 5.5 V
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V		676	1.84  >100 шт.   0.92
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	TELEFUNKEN
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	VISHAY
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	TEMIC
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	TELEFUNKEN
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	TEMIC
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	GALAXY
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	Fairchild Semiconductor
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	ФИНЛЯНДИЯ
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	КИТАЙ
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	DC COMPONENTS	30 047	1.70  >100 шт.   0.85
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	GALAXY ME
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	TFK
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	KLS	4 422	1.56  >100 шт.   0.78
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	ТАЙВАНЬ
		BZX55C3V0		Cтабилитрон универсальный 0,5W, 2,8-3,2V	SEMTECH
		SI9241AEY-T1-E3		Микросхема single ended bus transceiver	VISHAY
		SI9241AEY-T1-E3		Микросхема single ended bus transceiver
		SI9241AEY-T1-E3		Микросхема single ended bus transceiver	Vishay/Siliconix
		SI9241AEY-T1-E3		Микросхема single ended bus transceiver	SILICONIX
		TLE5205-2					589.12
		TLE5205-2			INFINEON
		TLE5205-2			Infineon Technologies
		TLE5205-2			INFINEON TECH
		TLE5205-2			TEXAS INSTRUMENTS
		TLE5205-2			4-7 НЕДЕЛЬ	438
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 669	38.16
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"