![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 2A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 400V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 410pF @ 25V |
Power - Max | 50W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRF72x N-CHANNEL POWER MOSFETS Также в этом файле: IRF720
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
NEC |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
ST MICROELECTRONICS | 266 | 35.91 | ||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
![]() |
33.68 | |||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
ST MICROELECTRONICS SEMI |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
Texas Instruments |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
TEXAS INSTRUMENTS | 16 |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
КИТАЙ |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
ST MICROELECTR |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
TEXAS | 848 | 28.89 | ||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
ST1 |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
ST MICROELECTRO |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
TEXAS INSTRUMEN |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
NE556N |
![]() |
4-7 НЕДЕЛЬ | 309 |
![]() |
||
![]() |
![]() |
561ТМ2 |
![]() |
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В | 800 | 37.80 | ||
![]() |
![]() |
561ТМ2 |
![]() |
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
561ТМ2 |
![]() |
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В | НОВОСИБИРСК |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
561ТМ2 |
![]() |
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В | ХАБАРОВСК |
![]() |
![]() |
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ЖЁЛТ. 0.5М |
![]() |
![]() |
||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 КРАСН. 0.5М |
![]() |
![]() |
||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ФИОЛ. 0.5М |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|