Версия для печати
Технические характеристики AT25DF161-SH-T

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Формат памяти	FLASH
Тип памяти	DataFLASH
Объем памяти	16M (2M x 8)
Скорость	100MHz
Интерфейс подключения	SPI, RapidS
Напряжение питания	2.7 V ~ 3.6 V
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Корпус	8-SOIC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		A8293SESTR-T			Allegro Microsystems Inc
		A8293SESTR-T				1	317.52
		A8293SESTR-T			ALLEGRO	147	160.81
		A8293SESTR-T			1
		A8293SESTR-T			4-7 НЕДЕЛЬ	520
		FSDM0365RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.15A, 67kHz, Pout<30W	FAIR
		FSDM0365RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.15A, 67kHz, Pout<30W	Fairchild Semiconductor
		FSDM0365RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.15A, 67kHz, Pout<30W	FSC
		FSDM0365RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.15A, 67kHz, Pout<30W	FSC1
		FSDM0365RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.15A, 67kHz, Pout<30W	FAIRCHILD
		FSDM0365RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.15A, 67kHz, Pout<30W
		FSDM0365RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.15A, 67kHz, Pout<30W	ON SEMICONDUCTOR
		FSDM0365RN		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=2.15A, 67kHz, Pout<30W	ONS
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	INFINEON
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	SAMSUNG
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W			273.80
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	Infineon Technologies
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W			273.80
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	США
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	1
		ICE2B365		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/3A, Fosc=67kHz, Pout=45W	4-7 НЕДЕЛЬ	696
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	FAIR
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	FSC
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	DC COMPONENTS	12 005	1.72
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	SEMTECH ELECTRONICS
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	FAIRCHILD
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	FAIRCHILD	428
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	NATIONAL SEMICONDUCTOR	526
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	SEMTECH ELECTRONICS LTD.	344
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	Fairchild Semiconductor
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	ФИЛИППИНЫ
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	NXP
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	YJ	96 445	1.58  >100 шт.   0.79
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	ONS
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	DIODES INC.
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	JSCJ	30 797	1.26  >100 шт.   0.63
		MMBD4148		Ультрабыстрый диод 200MA, 75V, 0.004мкс	HOTTECH	19 111	1.16
		PIC12F683-E/SN			Microchip Technology
		PIC12F683-E/SN			MICRO CHIP	224	73.57
		PIC12F683-E/SN
		PIC12F683-E/SN			4-7 НЕДЕЛЬ	228

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"