| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
DS1233D-5+ |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
DS1233D-5+ |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
|
|
592.00
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
США
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HGTG30N60A4D |
|
Модуль IGBT 600V + диод 600В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
|
15 118
|
17.43
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
25
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7812ABV |
|
Стабилизатор напряжения линейный +12V, 1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
517
|
|
|
|
|
КД522 (1N4148) |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный 50В, 2мкА, 0,004мкс
|
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
|
120
|
27.60
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
БРЯНСК
|
272
|
38.16
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
3
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
428
|
|
|
|