Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48V

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 43A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	72A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1985pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFZ48V (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRFZ48V datasheet 188.2 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DB3TG			ST MICROELECTRONICS
		DB3TG			ST MICROELECTRONICS SEMI
		DB3TG			Fairchild Semiconductor
		DB3TG			STMicroelectronics
		DB3TG
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	143.64
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	267.12
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	SAMSUNG	52	71.82
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	ON SEMICONDUCTOR
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16		3	98.28
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	MOTOROLA
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	1
		MC3361		ИМС УПЧ 10.7МГц 10В DIP16	4-7 НЕДЕЛЬ	304
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ST MICROELECTRONICS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ONS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz		8	138.75
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ФИЛИППИНЫ
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ISC	3 547	56.91
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	VARIOUS
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	SMK
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	DC COMPONENTS	24 000	9.16
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)		7 600	3.50
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	DIOTEC	28 197	6.51
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS	3
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	OTHER
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	GALAXY
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	КИТАЙ
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	Micro Commercial Co
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	PANJIT
		SK34		Диод Шоттки smd (U=40V, I=3A@T=75C, Ifsm=100A, Vf=0.5V@3A, Ir=0.5mA@T=25C, -55 to +125C)	GALAXY ME

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"