BSP60

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSP60		36.20
BSP60 (PHILIPS.)	322	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BSP60

Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 2.6A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	OptiMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1390pF @ 25V
Power - Max	1.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	PG-SOT223-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSP60 (Биполярные PNP транзисторы Дарлингтона)

PNP Silicon Darlington Transistors (High collector current Low collector-emitter saturation voltage)

Также в этом файле: BSP60BSP62

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BSP60 datasheet
156.66Kb
5стр.