STB3NK60ZT4

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STB3NK60ZT4 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	29	3-4 недели Цена по запросу
STB3NK60ZT4		287.20

Версия для печати

Технические характеристики STB3NK60ZT4

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	311pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-8.2K 1%	ЧИП — резистор		507	1.08 >500 шт. 0.36
1206-47 1%	ЧИП — резистор			1.44 >500 шт. 0.48
BSP60	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 45V 1A 1,5W B>1000	INFINEON
BSP60	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 45V 1A 1,5W B>1000	PHILIPS
BSP60	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 45V 1A 1,5W B>1000			36.20
BSP60	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 45V 1A 1,5W B>1000	PHILIPS	322
BSP60	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 45V 1A 1,5W B>1000	ГЕРМАНИЯ
BSP60	Транзистор биполярный составной PNP-Darl+Dio 45V 1A 1,5W B>1000	INFINEON TECH
RGP10J		FAIR
RGP10J		GENERAL SEMICONDUCTOR
RGP10J		FAIRCHILD
RGP10J		FAIRCHILD
RGP10J		GENERAL SEMICONDUCTOR	5 141
RGP10J
RGP10J		Fairchild Semiconductor
SSR1N60BTM		FAIR
SSR1N60BTM		FAIRCHILD
SSR1N60BTM		FAIRCHILD	2 409
SSR1N60BTM		Fairchild Semiconductor
SSR1N60BTM