|
|
Версия для печати
| Номинальное напряжение | 50В |
| Емкость | 1000 мкФ |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1000МКФ 6.3 (8Х10.2)105°C |
|
|
||||||
| 22МКФ 50 (8Х10.2)105°C |
|
|
||||||
| 470МКФ 35 (13X21)105°C |
|
|
||||||
| VND14NV04-E | ST MICROELECTRONICS | 3 | 144.81 | |||||
| VND14NV04-E | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| VND14NV04-E |
|
141.80 | ||||||
| VND14NV04-E | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | 1 256 | 49.19 | ||
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | ПЛАНЕТА | 5 575 | 44.75 | |
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | ВОРОНЕЖ |
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | RUS |
|
|