Версия для печати
Технические характеристики 1000МКФ 50В (13X25)

Номинальное напряжение	50В
Емкость	1000 мкФ
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		22МКФ 50 (8Х10.2)105°C
		470МКФ 35 (13X21)105°C
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...		3 400	22.86
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	6
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	INFINEON
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	IR/VISHAY
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	SLKOR	4 419	45.07
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	JSMICRO	3 584	28.76
		IRFR5305		Полевой транзистор P-канальный (Vds=55V, Id=31A@T=25C, Id=22A@T=100C, Rds=0.065 ...	EVVO	4 223	27.34
		VND14NV04-E			ST MICROELECTRONICS	3	144.81
		VND14NV04-E			STMicroelectronics
		VND14NV04-E					141.80
		VND14NV04-E			ST MICROELECTRO
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN		1 256	49.19
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	МИНСК
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ПЛАНЕТА	5 575	46.50
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	ВОРОНЕЖ
		КТ603Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"