HER157 (1.5A 800V)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0.47UF 250V 10% CL21
47МКФ 50 (6.3X11)105°C
BY299	Диод выпрямительный 1000В 2A 500нс DO27	MIC
BY299	Диод выпрямительный 1000В 2A 500нс DO27	DC COMPONENTS
BY299	Диод выпрямительный 1000В 2A 500нс DO27			32.40
BY299	Диод выпрямительный 1000В 2A 500нс DO27	КИТАЙ
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	16	52.27
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		6 520	35.09
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623
Д R2M (VZ=135-180 V)	Стабилитрон Vz=135-180V	SANKEN
Д R2M (VZ=135-180 V)	Стабилитрон Vz=135-180V			42.80
Д R2M (VZ=135-180 V)	Стабилитрон Vz=135-180V	КИТАЙ