|
|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | MITSUBISHI |
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) |
|
644.00 | ||
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | MIT |
|
|
|
|
|
|
RD15HVF1 |
|
Транзистор полевой, Po=15W (Pin=0.6W/175MHz, Vcc=12.5V) | ТАИЛАНД |
|
|
|
| К10-17Б 27ПФ NP0 50В |
|
|
||||||
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции. |
|
51.84 | ||
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции. | ДИСК |
|
|
|
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции. | ГРАВИТОН |
|
|
|
|
|
КП327Б | 1 | 40.02 | |||||
|
|
КП327Б | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП327Б | RUS |
|
|
||||
|
|
КП327Б | ОКТЯБРЬ | 160 | 101.25 | ||||
|
|
|
КТ368Б |
|
Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный |
|
95.04 | ||
|
|
|
КТ368Б |
|
Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА |
|
|
|
|
|
|
КТ368Б |
|
Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ368Б |
|
Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | РИГА |
|
|